A Samsung legfrissebb 32 Gb-es NAND flash memóriája, az úgynevezett CTF (Charge Trap Flash) eljárást alkalmazza, kiegészítve az eddigieknél kifinomultabb 40 nm-es gyártástechnológiával. Ehhez társul még az új anyagok felhasználása, melyet TANOS-nak nevezett el a gyártó és többek között a tantál, alumínium-oxid, és szilikon alkalmazását jelenti. A 32 Gb-es CTF NAND memória új utat nyithat a flash memóriakártyák gyártásában is. A jelenlegi 40 nm-es technológiával készült memória beépítésével akár 64 GB-os CompactFlash memóriakártyák is készíthetők. Egy ilyen kapacitású kártyára akár 40 db DVD minőségű mozifilmet, vagy 1340 órányi átlagos MP3 kódolású hanganyagot rögzíthetünk.
A Samsung ígérete szerint a gyártás finomításával képes lesz elérni a 30 és 20 nm-es finomságot is, ami 256 GB-os CF kártyákat is jelenthet a jövőben.
