A Sony tegnap jelentette be a 3 rétegű, rétegelt BSI-CMOS szenzorának fejlesztését, amely integrált puffermemóriával készül.
A főképp okostelefonokba szánt, 1,22 mikronos pixeleket tartalmazó 1/2,3″ típusú rétegelt szenzor előnye, hogy a szokványosnak mondható hátsó megvilágítású (BSI) szenzor továbbfejlesztéseként a képérzékelő réteg alatt 1 Gbites átmeneti memóriát tartalmaz, a vezérlő áramkörök pedig ez alatt kaptak helyet.
A szenzorhoz fizikailag igen közeli memória igen minimális késleltetést jelent, ami lehetővé teszi, hogy ultragyors képkiolvasást hajtsanak végre.
Ez ennél a szenzornál a teljes 19,3 Mpixeles kép 1/120 mp (egészen pontosan 8,478 ms) alatt történő kiolvasását jelenti, amely nagyjából négyszer nagyobb sebességet (négyszer rövidebb időt) jelent, mint a hagyományos megoldásoknál, amikor a memória távolabb található.
A gyors képkiolvasás nem csupán a nagy sebességű, akár 960 kép/mp-es frissítésű FullHD videók készítését segíti elő, de a CMOS szenzoroknál általában alkalmazott gördülő zár (rolling shutter) okozta jello effektus hatása (a remegő kameránál észrevehető jellegzetesen hullámzó kép, vagy a mozgó témák paralelogramma szerű megnyúlása) is minimálisra mérséklődik.
A termék tömeggyártásának megkezdéséről nincs információ, de tekintettel arra, hogy már bemutató videó is elérhető a 960 kép/mp frissítésű videofelvételről, így várhatóan még idén beindulhat a tömegtermelés, így a jövő évi Mobil World Congressen akár már a legújabb Sony okostelefonban is ez működhet.
