A Sony már több mint öt éve éve kereskedelmi termékekben is használja a rétegelt (stacked) CMOS szenzorait, amelyek a fényérzékelő felület alatt egy nagy kiterjedésű, így nagy kapacitású, ultragyors puffermemóriát tartalmaznak, lehetővé téve ezáltal a képi adatok igen gyors mentését és feldolgozását. Nem véletlen, hogy ez a szenzortípus igen népszerű a mai nagy sebességű sportfotós MILC-ek körében (Sony Alpha 7R IV, Nikon Z 9), azután, hogy elsőként prémium kompaktokban, illetve okostelefonokban alkalmazták.
A japán gyáróriás most egy továbbfejlesztésről számolt be, amelynek során újabb réteget visznek a szenzor belsejébe, ezúttal azonban nem a teljes szenzorfelületet, csak egy-egy pixelt módosítanak.
A jelenlegi CMOS szenzorok esetében a fényérzékelést ellátó fotodiódák és a vezérléshez szükséges parányi tranzisztorok ugyanazon hordozón, egymás mellett kapnak helyet. Tranzisztorokból ráadásul többre is szükség van (reset, kiválasztó, kiolvasó). Az új megoldás szerint egyes tranzisztorokat a fotodióda réteg alá, egy külön hordozóra helyeznek, ennek köszönhetően a fotodiódák mellett hely szabadul fel, így méretesebb diódákat alkalmazhatnak. A gyártó konkrétan kétszer nagyobb telítődési jelszintről beszél, amely egyben magasabb dinamika átfogást is eredményez.
A TRG (transzfer kapu) tranzisztorok kivételével konkrétan minden más pixel tranzisztor (RST, SEL és AMP) a fotodióda mentes rétegben található. Ez lehetővé tette, hogy megnöveljék a kiolvasáshoz használt erősítő tranzisztorok (AMP) méretét, és ennek eredményeként jelentősen csökkentsék a kiolvasási zajt, amely főképp az éjszakai vagy sötét környezetben készített képek zajszintjét minimalizálja.
A Sony Semiconductor Solutions közleménye szerint a kétrétegű tranzisztorokkal rendelkező rétegelt pixel technológiájú szenzorok előnyei akár okostelefonokban is kiaknázhatók, ahol így javítható lesz a képminőség. Arról azonban nem esett szó, hogy magasabb kategóriás termékekben, vagy fényképezőgépekben is tervezik-e alkalmazni az új módszert.
