A Sony már jó pár éve készíti a rétegelt (Stacked) CMOS szenzorait, amelyek előnye, hogy a fényérzékeny felület alá egy nagy kapacitású memóriát helyeznek. A fizikailag is nagyon közel lévő memória igen gyors, így a képi adatok igen csekély idő alatt áttölthetők ide az A/D konverterből.
Az extragyors sorozatokon túl (amelyre a rétegelt CMOS-ok kiválóan alkalmasak) azonban továbbra fontos tényező a képminőség, márpedig ezen a téren óriási előrelépés a hátsó megvilágítású szenzorok (BSI – amikor a huzalozás a fényérzékeny felület hátsó részén történik, így néhány százalékkal több hely marad a fotodiódáknak) óta nem történt.
Legalábbis kereskedelmi forgalomba került terméknél. De fejlesztések vannak, amiről tavaly decemberben már mi is írtunk.
Az új 3D technológia lehetővé teszi, hogy a hagyományos szenzorok esetében a fotodióda melletti vezérli tranzisztorokat a fotodióda réteg alá helyezzék, amelynek köszönhetően újabb területet sikerül felszabadítani, így még hatékonyabban tölthető ki az aktív fényérzékeny felület a fotodiódákkal. Márpedig mint tudjuk, a nagyobb felületű fotodióda jobb fotonbefogadó képességet, erősebb szaturációt, ezáltal alacsonyabb zajt eredményez, ugyanakkor a nagyobb elektronszám miatt a dinamika átfogás is megnő.
A technológiáról néhány alap gondolatot a már linkelt anyagunkban írtunk, tegnap azonban a Sony YouTube csatornájára is kikerült egy videó, amelynek első részében az Alpha 1 fejlesztőivel beszélhetnek, második részében (kb. a 7. perctől) pedig az új 2-Layer Transistor Pixel szenzortechnológiát mutatják be.
